Innovation : Samsung mise sur une mémoire BV-NAND ultra-dense pour accélérer l'essor de l'IA

Présentée lors de la conférence Future of Memory and Storage 2026, cette technologie cible les infrastructures d'IA de prochaine génération, où les besoins en capacité, en performances et en efficacité énergétique ne cessent de croître.

La V10 BV-NAND repose sur une architecture de wafer bonding, qui assemble séparément les cellules mémoire et les circuits avant de les fusionner. Cette approche permet de dépasser les 400 couches et d'augmenter la densité de stockage d'environ 58 % par rapport à la génération précédente. Samsung annonce également des améliorations des performances en lecture, en écriture et des débits d'entrée/sortie, des caractéristiques essentielles pour les centres de données spécialisés dans l'IA.

Cette annonce intervient alors que la concurrence s'intensifie sur le marché des mémoires avancées. SK hynix conserve une position solide grâce à ses solutions HBM, tandis que l'ensemble de l'industrie investit massivement pour répondre à la demande des grands acteurs du cloud et de l'IA générative. Avec cette nouvelle BV-NAND, Samsung entend combler son retard sur certains segments et préparer les futures architectures de calcul, où la mémoire jouera un rôle aussi déterminant que les processeurs eux-mêmes.